Drie nieuwe namen op een enkele bondingtechniek
Op de conferentie Future of Memory and Storage (FMS) 2026 in Santa Clara presenteerden Samsungs vicepresident van het DRAM-ontwerpteam, Kyungryun Kim, en de executive vice president Flash Product en Technologie, Jin-Yub Lee, drie nieuwe geheugenarchitecturen, allemaal gebouwd op geavanceerde wafer-bondingtechnologie. zHBM stapelt high-bandwidth memory rechtstreeks bovenop een AI-acceleratorchip in plaats van naast de processor, en Samsungs eigen ramingen plaatsen een interfacesysteem van de volgende generatie met zHBM op ongeveer 8 keer de prestaties van HBM5, meer dan 10 keer de geheugendichtheid, een verdrievoudiging van de energie-efficiëntie en een vermindering van de thermische weerstand van meer dan 50 procent.
zNAND-O is een high-performance NAND-ontwerp gebouwd op Samsungs V-NAND-lijn, verkrijgbaar in vier- en achtlagige versies en gericht op edge-AI-workloads die lage latentie en realtime verwerking vereisen. V10 BV-NAND is het concrete product van de drie: meer dan 400 lagen, gebouwd met wafer bonding in plaats van de gebruikelijke single-stack-etsing, en ongeveer 58 procent dichter dan Samsungs vorige V9-generatie, met betere lees-, schrijf- en I/O-prestaties.
Een visiemodel en een leverbare chip zijn geen gelijke claim
Samsung zelf toonde zHBM en zNAND-O als conceptmodellen, gepresenteerd naast producten die al worden geleverd: HBM4E-samples, een preview van HBM5, LPDDR5X-PIM en de enterprise-drives PM1763 en BM1773. Onafhankelijke sectoranalyse van Futurum Group verscherpt het onderscheid: V10 BV-NAND is vooral te lezen als de productierijping van een gebonden-NAND-concept dat concurrenten als Kioxia, SanDisk en YMTC ook nastreven, waarbij het echte concurrentievoordeel ligt in de opbrengst van het bonding-grensvlak en de uitlijnprecisie, niet alleen in het aantal lagen.
Futurum-analist Brendan Burke noemt drie onopgeloste productiehindernissen voordat iets hiervan op schaal wordt geleverd: het schalen van de hybride bondingpitch tot onder 10 micron bij volledige opbrengst van de DRAM-stapel, known-good-die-tests voorafgaand aan een onomkeerbare bonding, en thermische afvoer, ongeveer 1 kilowatt warmte door een gestapelde geheugendie leiden zonder de dataretentie aan te tasten. Burke noemt het thermische probleem de hoogste van de drie hindernissen, en het is een materiaalkundige beperking die niet sneller verschuift enkel omdat een routekaart dat belooft.
Het aanbodbeeld dat hierdoor niet verandert in 2026
Niets hiervan verandert de geheugenmarkt waarin kopers dit jaar daadwerkelijk betalen. Samsung heeft nu al ongeveer 34,0 procent van de omzet uit datacenter-geheugen, voor SK Hynix met 29,8 procent en Micron met 17,9 procent per het vierde kwartaal van 2025, en alleen HBM zou in 2026 al ongeveer een kwart van de totale DRAM-waferproductie opnemen.
Analisten die deze categorie volgen, ramen de markt voor off-chip datacenter-geheugen op ongeveer 17,1 miljard dollar (ongeveer 15,7 miljard euro) in 2025, groeiend naar 96,8 miljard dollar (ongeveer 89 miljard euro) in 2026 en een schatting van 260,5 miljard dollar (ongeveer 240 miljard euro) tegen 2030. Dat is de achtergrond waartegen de AI-uitrol zich in 2025 en 2026 afspeelt: een geheugenmarkt met een aanbod dat zo krap is dat het bepaalt welke cloud- en chipleveranciers überhaupt leverdata kunnen beloven, en een conceptpresentatie op een vakbeurs voegt dit jaar geen enkele wafer aan dat aanbod toe.
Wat dit betekent voor een Europees of Brits infrastructuurbudget
Voor een zakelijke koper in de EU of het Verenigd Koninkrijk die in 2026 GPU-capaciteit, een serververnieuwing of een meerjarig cloudcontract onderhandelt, bijvoorbeeld voor een datacenter in Amsterdam of Eemshaven, loopt de praktische lezing tegen wat een routekaartdia suggereert in. Dit is geen teken dat de geheugenkosten binnenkort zullen dalen; het is een aanbodzijdig gegeven dat laat zien dat de leverancier met het grootste aandeel in de datacenter-geheugenomzet nog jaren verwijderd is van het leveren van de technologie waarvan hij zegt dat die het knelpunt zal verlichten.
Dat maakt het huidige tekort de planningsbasis voor de komende een tot twee begrotingscycli. De verstandige stap is nu al leverings- en prijsafspraken vast te leggen, zolang de beperking bekend en ingeprijsd is, in plaats van een contract uit te stellen in de veronderstelling dat dichtheidswinsten van de zHBM-klasse al binnen de serververnieuwing van dit jaar of volgend jaar zullen verschijnen.
Hoe het komende jaar aan geheugenaankondigingen te lezen
Het patroon om voortaan te volgen zijn kwalificatiedata en genoemde klantimplementaties, niet de veelvouden op het datasheet. De al geleverde HBM4E-samples en de opgegeven meer dan 400 lagen van V10 BV-NAND zijn claims met vandaag een echt productieproces erachter; de cijfers van 8 en 10 keer die aan zHBM worden toegeschreven, beschrijven een doel voor een systeem dat als leverbaar onderdeel nog niet bestaat.
Behandel elke toekomstige geheugenaankondiging op dezelfde manier: scheid wat een bedrijf dit kwartaal daadwerkelijk levert van wat een visiemodel belooft voor een generatie die nog worstelt met pitchschaling, dietests en thermische grenzen die geen persbericht kan afkorten.
Lees hierna: SpaceX zet 10 gigawatt in op Rubin-chips | Zeventig procent van het geheugen is al vergeven
